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村田芯片
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LQW18AS4N3J0ZD
產(chǎn)品參考圖片
LQW18AS4N3J0ZD
制造廠商:
村田 (Murata)
類別封裝:
固定電感器,封裝:0603(1608 公制)
技術(shù)參數(shù):
FIXED IND 4.3NH 700MA 63 MOHM
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:LQW18AS4N3J0ZD
制造廠家名稱: 村田 (Murata)
描述:FIXED IND 4.3NH 700MA 63 MOHM
產(chǎn)品系列:固定電感器
包裝:卷帶(TR),剪切帶(CT)
系列:LQW18
零件狀態(tài):有源
類型:繞線
材料-磁芯:無磁性
電感:4.3nH
容差:±5%
額定電流(安培):700mA
電流-飽和(Isat):-
屏蔽:無屏蔽
DC電阻(DCR):63 毫歐最大
不同頻率時Q值:22 @ 250MHz
頻率-自諧振:5.9GHz
等級:AEC-Q200
工作溫度:-55°C ~ 125°C
電感頻率-測試:250MHz
特性:-
安裝類型:表面貼裝型
封裝:0603(1608 公制)
供應(yīng)商器件封裝:0603(1608 公制)
大小/尺寸:0.063 長 x 0.031 寬(1.60mm x 0.80mm)
現(xiàn)在可以訂購
LQW18AS4N3J0ZD
,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
DE21XKY470JN2AM01F
GRM1555C1H7R4CA01D
GRM033R71H331MA12J
GRM1885C1H9R2DA01D
RDER72A222K0S1H03A
GQM1875C2E750JB12D
GRM1556T1HR90CD01D
CSTLS3M48G53-A0
PXFT15BG103QA1B025
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